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新RRAM技术可令存储设备用上TB级别存储空间
作者: 佚名 2014-07-25 10:28 【cnBeta.COM】

根据莱斯大学表示,相关研究团队已经花了五年时间,最终在室温下找到制造低电压阻性RAM(RRAM)方法,无需高温或高压条件。RRAM类似于目前在U盘、SSD存储当中采用的闪存芯片,它可以无需恒定电源存储数据,电阻式DRAM数据存储采用电阻而不是晶体管,信息密度比闪存芯片高出很多。

RRAM层也可以层叠,以进一步增加存储空间,目前,原型产品已经可以在邮票大小的芯片上存储多达1TB数据。

莱斯大学研究团队研发的方法是在一个二氧化硅层上蚀刻5纳米的孔,然后将这个个二氧化硅层放置在两个电极之间,施加电压来沉积金属。然后第二次充电破坏电极之间的连接,让硅充填到间隙当中,最后通过施加低电压脉冲来在硅间隙上存储数据。

虽然该技术距离在智能手机上实用仍然很远,但是已经引发内存生产商争夺这项技术。莱斯大学教授James Tour表示,内存制造商的技术授权将在两周内完成。


标签:分层存储 固态硬盘 中间件 

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