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容量轻松提升 3D垂直闪存技术解析
作者: 佚名 2014-07-17 13:59 【天极网】

近几年随着固态硬盘迅速的崛起,与传统的机械硬盘相比,固态硬盘在速度方面的优势相当明显,但始终无法摆脱容量的限制,不过采用全新32层3D V-NAND技术的三星固态硬盘850 PRO的出现,完美的将这个问题解决了。

850 PRO固态硬盘采用了三星电子独家专利3D V-NAND闪存技术,那么3D V-NAND到底是什么意思呢?3D是指立体存储,V指的是垂直存储,说起来就是不再追求缩小cell单元,而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元,这样也可以达到容量增多的目的。

就像是从平房到高楼

结构方面,首先是将多晶硅晶体管垂直过来,并将绝缘体和控制栅极(Control Gate)从平面改为圆柱形,包裹住整个晶体管,然后将他们在垂直方向上堆叠起来,这样就构成了3D V-NAND的基本形态。

3D堆叠改变了闪存单元的基本结构

此前闪存芯片采用2D平面型NAND技术,临近存储单元的堆放密度极限,三星3D V-NAND技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式,通过改进型的Charge Trap Flash 技术,在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元,使得在同样的平面内获得更多的存储空间。

三星升级3D V-NAND技术改为32层柱状细胞结构,可以垂直堆叠更多个存储单元,从而提高密度,降低碳足迹,同时还能可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。此外,第二代32层3D V-NAND闪存的使用寿命较之SLC闪存更长,让您的应用更加安心。

现在已经可以做到最多32层

事实上,三星在平面型闪存的封装技术上也已经达到了很深的造诣,他们早在2012年给Retina MacBook Pro提供的就是已经采用了16层堆叠的SSD,不过现在借助3D V-NAND,目前已经可以实现单层86Gb、32层封装,单颗NAND的容量可以做到344GB,毫无疑问,3D V-NAND是三星的未来,也是整个NAND行业的未来。


标签:固态硬盘 PCIe闪存 硬盘 

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