WatchStor.com — 领先的中文存储网络媒体 | 51CTO旗下网站

新闻资讯 > PCIe闪存 > 正文
TLC技术将运用到3D闪存制造上
作者: TechReport 2014-07-08 09:13 【cnBeta.COM编译】

三星已在自家的850 Pro系列SSD上采用了3D闪存技术(又称V-NAND)芯片,而它看起来也会成为传统闪存的有力继任者。该方法避开了传统平面(2D)制造过程中所面临的“制程缩小、干扰增大”等问题,从理论上来讲,通过相互堆叠多层单元,V-NAND可实现更高的存储密度。不过,多层堆叠并不是三星唯一的武器,因为该公司早就开始运用3bit的TCL技术了。

我们得知三星将把TLC技术运用到3D架构的V-NAND上。

在韩国首尔举办的SSD全球峰会上,三星在问答环节期间宣布了3bit V-NAND计划。我们预计,三星会在今年晚些时候推出“更高存储密度”的第二代入门级TLC V-NAND驱动器。

对于消费级固态硬盘来说,TLC的缺点在很大程度上有些无关紧要。在三星840系列SSD的耐久度实验中,TLC产品甚至可在烧录了数百TB的数据后才挂掉,而这已经远远超过了一般人的需要。

至于840 EVO系列SSD,更是巧妙地运用了SLC高速缓存来抵消TLC较慢的写入速度。综上所述,三星应该理应拿得出令消费者信服的TLC V-NAND产品。


标签:固态硬盘 PCIe闪存 硬盘 

了不起的IT经理
LecVideo
论坛与活动