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16纳米方案 Cadence DDR4物理层IP发布
作者: 佚名 2014-05-22 15:02 【expreview】

今年三季度的Haswell-E/EP将成为首个支持DDR4内存的平台,美光、三星、SK Hynix的DDR4内存也在进行中。目前DDR4的运行速率并不算多高,初代产品多数都是DDR4-2133规格的,甚至不及高频DDR3内存。Cadence公司日前宣布他们已经使用TSMC的16nm FinFET工艺生产了新DDR40内存物理层IP,速度可达3200Mbps。

16纳米方案 Cadence DDR4物理层IP发布

JEDEC的标准中规定的DDR4内存频率是16000-3200Mbps,目前美光等公司生产的DDR4内存频率普遍都是DDR4-2133标准的,更高速的内存还在开发中。Cadence公司虽然不是内存厂商,不过他们的内存物理层IP可为其他SoC厂商的高速DDR4内存奠定了基础。此前他们使用TSMC的28nm工艺推出了首款DDR4-2400物理层及控制器,现在则在TSMC的16nm FinFET工艺帮助下实现了DDR4-3200内存物理层的开发。

16纳米方案 Cadence DDR4物理层IP发布

Cadence公司的DDR4-3200物理层IP的优势 据Cadence公司所说,其他公司不需要重新设计DDR4物理层接口,即便原来的最高速率只有DD4-2400,Cadence公司的物理层IP也可以通过提升额外的鲁棒性、改善系统余量实现DDR4-3200Mbps运行。此外,最新的DDR4-3200物理层IP还向下兼容早期的DDR3及低速率DDR4内存规范。


标签:HBA 灾难恢复 HA双机热备 

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