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最新阻变存储器RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据
作者: 佚名 2013-08-06 10:21 【cnBeta.COM】

阻变存储器RAM(RRAM)是一种可以用于PC和移动设备的内部存储器,相比现在的闪存,它的速度快上许多,读写时还非常节能。今天,加州一家技术公司Crossbar宣布研发出全新电阻式RAM技术,可以在一颗比邮票还小的单芯片中存下1TB的数据,这意味着未来电子产品的存储密度将极大地提高,同时RRAM的写入性能比目前最好的NAND芯片还快上20倍,读写时的功率仅为1/20。

 

取决于不同的设备,RRAM可以将设备电池寿命延长数周、数月甚至数年,使用寿命也10倍于NAND,可以说是一种完美的高速存储器。Crossbar还表示,这种存储器还可以以阵列的方式运行,他们计划将这项技术授权给其它公司使用,目前30余项专利已经被授予。

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