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Intel固态硬盘信心满满的杀进市场

Watchstor.com  佚名丨2009-10-31 16:36 标签:HBA 硬盘/SSD 硬盘 固态硬盘 

最近Intel固态硬盘摆脱了以往的负面影响,全面高调的杀向市场。目前市场上的Intel固态硬盘均为50nm工艺,显然人们对此并不满足,Intel也感受到了压力。据传,Intel即将在2周之内发布基于34nm工艺的新款Intel固态硬盘,比之前公布的发布路线的第四季度大大提前了。

事实上早在去年11月份,Intel就和美光宣布双方联合研发的34nm工艺NAND闪存芯片并已经投入量产,成为了业界第一款40nm工艺以下的NAND闪存产品。这种MLC多层型NAND闪存芯片由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies生产,切割自300毫米晶圆,核心面积172平方毫米,在同类产品中是最小的。单芯片容量32Gb,一块晶圆可以切割出1.6TB的合计容量。

另外通过标准的48引脚TSOP封装,还可以将这种芯片做成更大容量的NAND闪存设备,比如两个八裸片封装就能实现64GB。Intel表示,这种34nm 32Gb NAND闪存芯片是专为Intel固态硬盘设计的,能带来更大的容量、更小的体积、更低的价格。

今年初的时候,Intel相继公布了34nm闪存的路线图,包括 X18-M、X25-M、X25-E等三大系列将全面进入34nm工艺时代,最大容量将达320GB。另外面向企业级用户的X25-E也将由50nm NAND闪存芯片升级到34nm,容量翻倍为64/128GB,采用SLC封装。

点评:我们一直对Intel固态硬盘都非常的看好,此番Intel推34nm工艺更是让人拍手称快,因为34nm工艺Intel固态硬盘的发展除了带来更大的容量、更高的性能以外,最重要的是还会带来更低的价格,Intel固态硬盘的普及速度有望进一步加快。而且,随着固态硬盘的发展,对操作系统尤其是Windows7的支持将更加完美。

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