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三星下月量产PRAM相变存储
作者: 佚名 2009-05-06 11:26 【WatcStor.com】

三星公司表示,计划近期出货512MB PRAM相变存储芯片样品,并于6月份在其200mm晶圆厂实现量产。

PRAM(Phasechange Random Access Memory相变随机存储器)是一种被基于厚望的未来存储技术,其每一个存储单元在被加热时呈晶体状表示1,反之则为非晶体表示0。PRAM可以替代现有的DRAM计算机内存,而由于其非易失性,业内厂商又把它看作是NOR型闪存的替代者。

相比闪存,PRAM在写入新数据前不需要执行擦除原数据的步骤,因此读写速度是普通闪存的30倍,同时其擦写寿命也是闪存的10倍。

三星最早于2005年展示了PRAM相变存储样品,Intel也长期投资这一领域的开发。三星PRAM量产后,预计会首先应用在手机和其他掌上设备中,利用其速度优势明显提升掌上设备性能。

三星下月量产PRAM相变存储

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